产品描述
MR3A16A是一款MRAM非易失性存储器，位宽为512K x 16。MR3A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具备有限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可在断电时主动爱护数据，以避免在不符合规定的电压状况下进行写操作。对于必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用，MR3A16A是现实的存储器解决方案。
MR3A16A非易失性MRAM提供小尺寸的48引脚球栅阵列（BGA）封装和54引脚的薄型小形状封装（TSOP Type 2）。这些封装与相似的低功耗SRAM产品和其余非易失性RAM产品兼容。MR3A16A在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产品提供商业温度（0至+70°C）和工业温度（-40至+85°C）工作温度选项。everspin代理英尚微驱动、例程以及必要的FAE反对。
引脚封装
MR3A16A特色
•+3.3伏电源
•35 ns的疾速读写周期
•兼容SRAM的时序
•有限的读写耐久性
•温度下，数据始终保持非易失性超过20年
•合乎RoHS要求的小尺寸BGA和TSOP2封装
•所有产品均合乎MSL-3湿度敏感度等级
益处
•一个存储器代替零碎中的FLASH，SRAM，EEPROM和BBSRAM，以实现更简略，更无效的设计
•通过更换电池供电的SRAM来进步可靠性
对于Everspin
Everspin在磁存储器设计，MRAM,STT-MRAM的制作和交付到相干利用中的常识和教训在半导体行业中是举世无双的。领有超过600多项无效专利和申请的知识产权产品组合，在立体内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。英尚微电子作为everspin的外围代理商,所提供的MRAM具备高度牢靠的数据存储.没有写提早，并且读/写寿命不受限制。