富士通型号MB85RS2MTA是采纳262144字x8位的铁电随机存取存储器芯片，应用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来造成非易失性存储单元。可能保持数据，而无需应用SRAM所需的备用电池。MB85RS2MTA采纳串行外围设备接口SPI。

MB85RS2MTA中应用的存储单元可用于1013个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM反对的读和写操作数量相比，有了显着改良。MB85RS2MTA不须要破费很长时间就能够写入闪存或E2PROM之类的数据，MB85RS2MTA不须要等待时间。FUJITSU代理可提供产品相干技术支持。

MB85RS2MTA特色
•位配置：262,144字x8位
•串行外围设备接口：SPI（串行外围设备接口）
对应于SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
•工作频率：40MHz（最大）
•高耐久性：1013次/字节
•数据保留：10年（+ 85°C），95年（+ 55°C），200年以上（+ 35°C）
•工作电源电压：1.8 V至3.6 V
•低功耗：工作电源电流2.3mA（最大@40 MHz）
待机电流50A（最大值）
休眠电流10A（最大值）
•工作环境温度（温度范畴：-40°C至+ 85°C
•封装：8针塑料SOP（FPT-8P-M09）
8针塑料DIP（DIP-8P-M03）
合乎RoHS

引脚

FRAM具备个性能成就技术“硬核”，FRAM是存储界的实力派。除非易失性以外，FRAM还具备三大次要劣势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。其中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时FRAM写入数据可在150ns内实现、速度约为EEPROM的1/30,000，写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400，在电池供电利用中具备劣势。与传统的存储技术相比，FRAM在须要非易失性、高速读写、低功耗、高读写持久等综合性能的应用领域体现出众、口碑良好。