存储设备（次要指存储数据的半导体产品）通常分为两种类型。一种是“易失性存储器”——数据在断电时隐没，如DRAM。另一种类型则是“非易失性存储器”——数据在断电时不会隐没，这意味着数据一旦被写入，只有不进行擦除或重写，数据就不会扭转。FRAM是一种与Flash雷同的非易失性存储器。

富士通FRAM技术和工作原理

FRAM是使用铁电资料（PZT等）的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储又能够像RAM一样操作。

•当一个电场被加到铁电晶体时，核心离子顺着电场的方向在晶体里挪动，当离子挪动时，它通过一个能量壁垒，从而引起电荷击穿。外部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。

•移去电场后核心离子放弃不动，记忆体的状态也得以保留。

•资料自身的通畅个性的两个稳固点代表0或1的极化值。

FRAM的特点

独特性能成就技术“硬核”，FRAM是存储界的实力派。除非易失性以外，FRAM还具备三大次要劣势：高读写入耐久性、高速写入以及低功耗，这是绝大多数同类型存储器无法比拟的。

其中FRAM写入次数寿命高达10万亿次、而EEPROM仅有百万次(10^6)。同时，FRAM写入数据可在150ns内实现、速度约为EEPROM的1/30,000，写入一个字节数据的功耗仅为150nJ、约为EEPROM的1/400，在电池供电利用中具备无可比拟的劣势。

富士通FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储畛域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户提供产品相干技术支持。