新能源汽车的核心技术，是大家所熟知的动力电池，电池管理系统和整车管制单元。而高性能存储器FRAM将是进步这些核心技术的要害元件。无论是BMS，还是VCU，这些零碎都须要实时和间断地对以后状态信息进行监控，记录和剖析解决。因而须要进步存储器性能和耐久性设计。只有非易失性・高速・高读写耐久性的车规级的存储器FRAM才能够满足所要求的可靠性和无迟延的要求。

FRAM在电池管理系统BMS利用
高烧写耐久性，高速写入操作：
•零碎每0.1或1秒，实时和间断地存储重要数据（故障信息,SOH和SOC等）。
•零碎须要监控短期（最初几个充电周期，60次/秒）和长期（整个电池寿命）电池性能。

FRAM在整车管制单元VCU中的利用
高烧写耐久性，高速写入操作：
零碎须要以每秒一次的频率去实时记录汽车行驶的以后状态和产生故障时的变速器挡位，减速情况，刹车和输入扭矩等信息。

FRAM在T(Telematics）-BOX中的利用
高读写耐久性，高速写入操作：
•零碎须要1次/0.2秒的速度，间断记录CAN通信数据。
•零碎须要1次/秒的速度，间断地记录地位数据。
•零碎要求记录在产生事变前的10秒内，每秒的行驶数据（刹车，发动机转速等）。
上述数据1次/10秒的频率转送到从FRAM转送到Flash里。

富士通FRAM凭借高读写耐久性、高速写入和超低功耗的独特特质，近年来在Kbit和Mbit级小规模数据存储畛域开始风生水起，在各种应用领域频频“露脸”并大有斩获，这就是铁电存储器FRAM。富士通代理英尚微电子可为客户提供产品相干技术支持。