富士通FRAM是一种交融了在断电的状况下也能保留数据的非易失性、随机存取两个专长的铁电随机存储器（内存）。FRAM的数据放弃，不仅不须要备用电池，而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比，具备优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。

MB85R4002A是FRAM（铁电随机存取存储器）芯片，由262,144字×16位非易失性存储单元组成，这些单元应用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术制作。可能保留数据，而无需应用SRAM所需的备用电池。MB85R4002A中应用的存储单元可用于1010个读/写操作，与Flash存储器和E2PROM反对的读和写操作数量相比，有了显着改良。MB85R4002A应用与惯例异步SRAM兼容的伪SRAM接口。

引脚封装

特点
•位配置：262,144字×16位
•LB和UB数据字节管制
•读写续航力：1010次/字节
•数据保留：10年（+ 55°C），55年（+ 35°C）
•工作电源电压：3.0 V至3.6 V
•低功耗运行：工作电源电流15 mA（典型值），待机电流50A（典型值）
•工作环境温度范畴：−40°C至+ 85°C
•封装：48引脚塑料TSOP（FPT-48P-M48）
合乎RoHS

非易失性存储器FRAM，无需保持数据的电池，所以保持数据时不产生能耗。而且，写入工夫较通用EEPROM及闪存要短，具备写入能耗低的长处。富士通FRAM代理英尚微电子为用户提供利用解决方案等产品服务。