EMI164NA16LM该设施是一个集成的存储器设施，其中蕴含64Mbit动态随机存取存储器，应用自刷新DRAM阵列由16位组织为4M。模具具备独自的电源轨，VCCQ和VSSQ，用于从设施外围的独自电源运行。
特色
•电源
-VCC和VCCQ电压：3.0V（2.7V〜3.6V）
•配置：64MB（4MBX16）
•读取速度
-异步读拜访：70ns
•低功耗
-异步操作：<30mA
-待机电流：<350UA（最大值）
•低功耗性能
-片上温度弥补自刷新（TCSR）
•工作温度范畴：-40°C〜+85°C（工业）
•包装：48 TFBGA（6.0x7.0mm）
引脚封装
48 TFBGA（6.0x7.0mm）
EMI164NA16LM该设施是67,108,864位pSRAM，应用DRAM型存储器单元，但该器件具备无刷新操作和极其低功耗技术。接口与低功耗异步类型SRAM兼容。该设施组织为4,194,304字x16位。
图2.性能框图
性能形容
64MB设施蕴含67,108,864位DRAM外围，组织为16位的4,194,304个地址。该设施包含行业标准，在其余LOW Pexer SRAM产品上找到的异步内存接口
表1性能形容
1.当UB＃和LB＃处于抉择模式（低）时，DQ0〜DQ15受到如图所示的影响。
当仅LB＃处于抉择模式时，DQ0〜DQ7受到如图所示的影响。只有UB＃处于抉择模式时，DQ8〜DQ15会受到如图所示的影响。
2.当设施处于待机模式时，管制输出（We＃，OE＃），地址输出和数据输出/输入在外部与任何内部影响拆散。
3.当咱们＃处于活动状态时，OE＃INPUT在外部禁用，对I/O没有影响。
4.只有更改地址，设施将在此模式下耗费无效电源。
5.VIN=VCCQ或0V，所有器件引脚都是动态（未切换的），以实现备用电流。
对于EMI
安徽伟凌创芯微电子有限责任公司（简称EMI）位于合肥市高新区，是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场专用芯片/小型蓝牙SOC芯片/存储芯片SRAM/PSRAM及整体解决方案，第一代产品波及千兆/万兆USB网口芯片以及音视频接口芯片。提供翻新、高品质、高性价比、 供货继续稳固的芯片，并通过提供软硬件Turnkey solution，升高客户研发难度，缩短客户量产时程。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。EMI代理英尚微电子反对提供产品相干技术支持。