赛普拉斯的NV-SRAM将规范疾速SRAM单元（拜访工夫高达20 ns）与基于硅氧化物和亚硝酸盐，氧化物硅（SONOS）的非易失性存储元件相结合，可提供疾速的异步读写访问速度，并在其整个工作范畴内具备20年的数据保留。具备控制器的典型NV-SRAM接口如图1所示。

图1.带微控制器的NV-SRAM接口

高速SRAM单元提供了十分高速的读写访问，并且能够像规范SRAM中一样有限次地写入或读取NV-SRAM。如果断电则利用存储在与NV-SRAM的VCAP引脚相连的小电容器中的电荷将SRAM中保留的数据传输到与每个SRAM单元集成的非易失性元件。 NV-SRAM VCAP引脚上须要的电容器只有几十µF，典型值为68 µF（无关VCAP的容许范畴，并在上电期间通过外部充电电路进行充电。 VCAP上存储的电荷足以在掉电期间将SRAM数据复制到非易失性元件（称为存储操作）。

此存储操作对应用程序是通明的，因为当VCC电源在阈值程度（VSWITCH）以下故障时会主动执行该存储操作。数据从SRAM到集成非易失性元件的并行传输意味着存储（将SRAM数据传输到非易失性元件）所破费的工夫等于一次EEPROM写（字节写或页写）操作。上电时非易失性数据会主动传送回SRAM，这称为RECALL操作。这使NV-SRAM成为真正的非易失性存储器，能够在断电时将数据保留在其非易失性元素中，而无需任何内部电源备份，例如电池或Supercaps。

NV-SRAM中的STORE和RECALL操作也能够通过软件命令按需执行。 NV-SRAM具备许多其余性能，新应用程序能够应用这些性能。

与其余现有电路解决方案相比，赛普拉斯的NV-SRAM提供了最快，最牢靠的非易失性解决方案。