MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。它领有动态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力;以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且基本上能够有限次地反复写入。
MRAM个性
●MRAM读/写周期时间:35ns;
●真正有限次擦除应用;
●业内最长的寿命和数据保留工夫——超过20年的非易失个性;
●单芯片最高容量为16Mb;
●疾速、简略接口——16位或8位并行SRAM、40MHz高速串行SPI接口;
●具备老本效益——简略到只有一个晶体管、一个磁性穿隧结(1T-1MTJ)位单元;
●最佳等级的软错误率——远比其它内存优异;
●可取代多种存储器——集Flash、SRAM、EEPROM、DRAM的性能于一身;●具备商业级、工业级、扩大级和汽车级的可选温度范畴;
●合乎RoHS标准:无电池、无铅;
●小封装:TSOP、VGA、DFN
MRAM的存储原理
MRAM是以磁性隧道结(MTJ)贮存单元为根底。MTJ中蕴含了一个维持繁多极性方向的固定层，和一个通过隧道结与其隔离的自在层。当自在层被施予和固定层雷同方向的极化时，MTJ的隧道结便会显现出低电阻个性;反之MTJ便会有高电阻。此磁阻效应可使MRAM不需扭转内存状态，便能疾速读取数据。当流经两金属线的电流足以切换MTJ的磁场时，在两金属线交点的MTJ就会被极化(写入)。此过程能以SRAM的速度实现。
MRAM的劣势
劣势一:
其采纳的磁性极化的形式与传统的电荷存储形式不同，无效防止了电荷漏电的问题，从而保证数据可能在广阔的温度范畴内被长期保留。
劣势二:
两个状态间的磁性极化切换不会波及到理论的电子或原子挪动，因而不会有耗损机制的存在。
劣势二:
两个状态间的磁性极化切换不会波及到理论的电子或原子挪动，因而不会有耗损机制的存在。
非易失性存储器-串行mram
典型电路示例—MR25H40 4Mbit MRAM
非易失性存储器-并行mram
典型电路示例—MR2A16A 256K×16 MRAM
非易失性存储器-MRAM选型
非易失性存储器-MRAM的利用
MRAM应用问题
MRAM是一种铁磁性存储器，在应用的时候，应尽量避免与强磁性物质否则低压大电流导体进行短距离接触，否则容易导致外部数据失落甚至是芯片损坏。
Everspin是业余设计和制作MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域波及数据持久性和完整性，低提早和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为MRAM用户奠定了弱小的根底。Everspin一级代理英尚微电子可为用户提供驱动和例程等技术方面反对。