STM32F103ZET6属于STM32F103xE增强型系列,工作频率为72MHz,内置高速存储器(高达512K字节的闪存和64K字节的SRAM) ,丰盛的外设资源足以满足大部分的个别利用,但对于一些须要采集解决较多数据.利用算法或应用GUI等场合,内置的SRAM就显得顾此失彼了,这时就须要扩大SRAM了。
IS61LV51216是ISSI公司生产的罕用16位SRAM异步存储芯片,外部512k存储容量足以满足少数场合利用需要,存取时间8~12ns ,全动态操作,不需时钟或刷新,兼容TTL标准接口,具备高速,牢靠、易操作.低功耗等长处。ISSI总代理英尚微电子反对提供例程及FAE等技术支持。
FSMC(灵便的动态存储器控制器)是STM32采纳的一种新型存储器控制技术,蕴含四个次要模块:AHB接口.NOR闪存和PSRAM控制器、NAND闪存和PC卡控制器、外部设备接口。
STM32F103系列中的64脚的STM32F103Rx系列没有FSMC性能,无奈扩大SRAM;100脚的STM32F103Vx系列的FSMC在应用时须要管脚复用,不仅设置起来更简单一些,而且还需减少锁存器,FSMC自身也占用大量管脚,在许多利用场合中造成管脚调配艰难，但老本却与144脚的STM32F103Zx系列相差不大,因而在须要扩大SRAM时除非对老本要求特地严格或有其余要求,个别较少选用STM32F103Vx系列。
硬件电路设计
STM32F103ZET6与IS61LV51216的硬件电路连贯:管脚接法同时兼容容量较小但老本更低的IS61LV25616。因为篇幅起因,IS61LV51216芯片的A18-AO为地址线,在此没有用到的FSMC_A能够作为通用IO应用,I/O15-I/O0为数据线,CE为片选引脚,本例抉择应用地址为bank1的第三个子区域,片选脚为FSMC_NE3,WE为写入使能引脚,管制存储器的写入和读取,DE为输入使能引脚。LB为低位管制脚,UB为高位管制脚,用于将32位数据宰割为间断的16位数据进行操作。