STT-MRAM是一种颠覆性技术，能够在从生产电子和集体计算机到汽车和医疗，军事及太空等许多畛域，扭转产品的性能。它还有后劲在半导体工业中发明新的畛域，并使尚未构想的全新产品成为可能。STT-MRAM在要害的初始市场上已取代嵌入式技术（eSRAM，eFlash和DRAM），并提供65nm及更高的新性能。在汽车利用中比eFlash具备更高的速度和更低的功耗，并且比eSRAM密度更高。

在便携式和手机利用中，它能够打消多芯片封装（MCP），提供对立的内存子系统，并升高零碎功耗以缩短电池寿命。在集体计算机中能够代替SRAM用于高速缓存，闪存用于非易失性缓存以及PSRAM和DRAM用于高速程序执行。

现在STT-MRAM能够在许多嵌入式应用中代替NOR闪存和SRAM。非易失性存储应用NOR闪存存储代码，并将数据传输到SRAM充当缓冲区或高速缓存。例如低端手机同时应用NOR和SRAM，能够很容易地用单个STT-MRAM芯片替换它们。

将STT-MRAM与最新的通用存储候选进行比拟，STT-MRAM的读写工夫别离为2到20纳秒（ns），而相变RAM（PRAM）的读取工夫为20到50ns，写入的工夫为30ns。此外STT-MRAM的耐久性在>1015时不受限制，而PRAM小于1012。

只管这不是一项新技术，但PRAM最近受到了相当大的关注。许多当先的半导体公司都在PRAM上进行投资并开发本人的IP。只管它是令人钦佩的技术，但与STT-MRAM相比，PRAM具备无限的耐用性和较慢的速度。

硫族化物资料通常为Ge2Sb2Te5，也称为GST，用于PRAM中进行数据存储。PRAM通过施加热量来利用硫属元素化物GST的结晶态和非晶态之间的可逆相变，其中结晶GST具备低电阻率，非晶GST具备高电阻率。数据“0”对应于结晶态，而数据“1”对应于非晶态。

状态之间的切换工夫大于20ns，这意味着PRAM无奈取代SRAM，因为它的运行速度相当慢。重置位状态所需的工夫必须较长。如果不是则相变资料冷却太快而无奈达到结晶状态。因为相的一直变动和施加到其上的热量，会导致资料劣化，因而耐久性无限。

RRAM或电阻式存储器依赖于电场引起的电阻变动。与PRAM相比，它处于更晚期的倒退状态，然而在可靠性和耐用性方面也蒙受相似的问题。此外许多倡议的RRAM资料中波及的切换机制还没有失去很好的了解。

FRAM或铁电RAM应用铁电资料存储极化。它蒙受无限的读取耐久性和破坏性读取过程。同样它的耐用性约为1012个周期，尽管实用于闪存更换，但不能用作通用内存。

Everspin Technologies，Inc是设计制作和商业销售离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）的翘楚，其市场和应用领域波及数据持久性和完整性，低提早和安全性至关重要。Everspin MRAM广泛应用在数据中心，云存储和能源及工业和汽车市场中。Everspin代理商英尚微电子反对提供产品利用解决方案等技术支持。