对于存储器而言，重要的技术指标无非就是速度、是否为非易失性、功耗、老本、体积、寿命等。曾经有很多品种的产品做出了各种各样的致力，然而始终只能并重某一方面，而不是八面玲珑。兴许大家最为看重的是MRAM的非易失性，这确实是很迷人的，毕竟它让应用MRAM内存的电脑能够像电视或者收音机那样可能马上启动。除了MRAM，目前也有不少非易失性存储器，其中包含大家最为相熟的磁盘〔硬盘、软盘）、Flash Memory(闪存）和EPROM。

作为内存储器，磁盘是相对不行的，因为速度切实太慢了，只管它的容量很大。至于FLASH Memory中极为风行的Compact Flash.Secure Disk和Memory Stick则在寿命上齐全不能合乎内存储器的要求。个别Flash Memory在通过大概10000次读写周期当前就会报废，而内存储器的读写是相当频繁而且无序的。要是强行将Flash Memory作为内存储器应用，那么兴许满负荷工作200个小时就报废了。当然闪存用于数码相机、MP3播放机等信息家电产品还是很适合的。最初就是EPROM，也就是大家主板上BIOS块。它具备较快的速度，然而体积和老本都是令人无奈设想的，而且寿命也个别，更是不能用作内存储器。

MRAM工作的基本原理与硬盘驱动器相似，与在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方章为根据，存储为0或1。它存储的数据具备永久性，直到被外界的磁场影响，才会扭转这个磁性数据。因为使用磁性存储数据，所以MRAM在容童老本上有了很大的升高。

MRAM芯片与闪存都属于小规格芯片,所占空间极小,存储密度随着集成技术工艺的倒退而减少。集成技术工艺已从亚微米工艺进入到纳米工艺，因而MRAM存储器的体积也越来越小,存储密度必随之减少。MRAM单元的功耗很低，存储单元的工作电压只有闪存EEPROM的十分之一左右,而且断电后保留数据不需耗电。

与背后风行的DDR或是DDR2相比，MRAM的劣势仍然显著。撇开令人垂涎三尺的非易失性不谈，仅在速度、功耗和体积上，MRAM也有较大的劣势。