Everspin是设计制作MRAM到市场和利用的翘楚，在这些市场和利用中，数据持久性和完整性，低提早和安全性是至关重要。MR25H40VDF是一个4194,304位MRAM设施系列，组织为524,288个8位字。对于必须应用大量I/O引脚疾速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是现实的内存解决方案。它们具备串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写时序，没有写提早并且读/写寿命不受限制。与其余串行存储器不同，应用MR25H40VDF系列，读取和写入都能够在内存中随机产生，而写入之间没有提早。

总览
MR25H40VDF系列是SPI接口MRAM系列，其存储器阵列应用芯片抉择（CS），串行输出（SI），串行输入（SO）和串行串行时钟（SCK）的四针接口逻辑上组织为512Kx8外设接口（SPI）总线。MRAM实现了SPI EEPROM和SPI Flash组件通用的命令子集。这样SPI MRAM能够替换同一插槽中的这些组件，并在共享的SPI总线上进行互操作。与其余串行存储器替代品相比SPI MRAM具备卓越的写入速度，有限的耐用性，低待机和运行能力以及简略，牢靠的数据保留。

MR25H40VDF的长处
与富士通FRAM相比，降级到Everspin MRAM具备许多劣势：
•更快的随机拜访操作工夫（50MHz/20nstCLK和40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和数据保留（在125C工作温度下超过20年）
•有限读/写耐久性
•无磨损问题
•掉电时的主动数据保护
•竞争定价
•稳固的制造业供应链

一般引脚
MR25H40VDF是组织为512Kx8的4Mb非易失性RAM，采纳标称3.3V电源供电，并且与FRAM兼容。它提供规范的8引脚Small Flag DFN（DF版）和8引脚DFN（DC版），它们具备多种封装选项，可间接代替SPI-FRAM 8引脚塑料SOP封装（表格1）。

SPI MRAM袒露金属焊盘未连贯至芯片，因而应悬空或连贯至Vss。从SPI FRAM迁徙时，请确保SPI MRAM DFN和Small Flag DFN封装的袒露金属焊盘未焊接在PCB上。这样做会导致SPI MRAM芯片裸露于过多的热量中，这可能会导致位故障和裕量损失。