XRAM是一种旨在以具备竞争力的价格提供高密度和高性能ram的新型内存体系结构.XRAM应用先进的DRAM技术和自刷新体系结构显着进步了内存密度并简化了用户界面。

XRAM是一种基于先进的DRAM工艺，再联合星忆翻新的三态DRAM和免刷新DRAM两种专利技术的新型存储器件。不同于传统的DRAM芯片和SRAM，它具备以下特点：
• 老本 同等条件下晶圆面积节俭30% ，晶圆产出预估能够减少25%
• 速度, 数据读取延时达到10ns级，相比DRAM要快10倍
• 存储密度, 单片反对Mbit和Gbit
• 功耗, 存储阵列损耗缩小40%
• 无刷新, 简化控制器设计和时序操作，齐全随机拜访，进步总线利用率
• 高可靠性，反对-40~125摄氏度环境温度

XM8A01M16V33A在性能上等效于异步SRAM，是一种高性能16M CMOS国产SRAM存储器芯片，组织为1024K字乘以16位和2048K字乘以8位，反对异步SRAM存储芯片接口。

XM8A01M16V33A（1M×16）48引脚TSOP I引脚排列

XM8A01M16V33A特色
•异步XRAM芯片内存
•高速拜访工夫
•tAA = 10/12纳秒
•低有功功率
•ICC = 80 MHz时为75 mA
•低CMOS待机电流
•ISB2 = 40 mA（典型值）
•工作电压范畴：2.2 V至3.6 V
•勾销抉择时主动掉电
•TTL兼容的输出和输入
•提供44引脚TSOP II，48引脚TSOP I封装和48焊球FBGA封装

星忆存储专一于XRAM产品开发设计，提供高性能和低延时，低功耗及免刷新动态随机存储器芯片产品。致力于通过创新型存储芯片技术商业化、产业化的过程，带动国产存储器芯片的底层技术攻关和相干科研工作，从而推动国产存储芯片设计前端产业改革和更进一步的倒退。星忆存储代理商英尚微电子反对提供驱动、例程、必要的FAE反对等技术支持。