STM32MCU个别状况下配置有1~2MB双块Flash存储器和256KB SRAM，在某些利用设计中会呈现内置RAM有余的状况，须要对STM32单片机进行外扩RAM的解决，能够抉择更换更高RAM容量的单片机，除了价格贵还须要波及其余被动器件的更改，STM32系列能够通过FMSC接口外扩并口SRAM，比方采纳ISSI的IS62WV51216，

IS62WV51216 SRAM芯片是一个8M容量，组织构造为512K*16的高速率低功耗动态随机存储器。IS62WV51216高性能CMOS工艺制作。高度牢靠的工艺水准再加翻新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。应用IS62WV51216的片选引脚和输入使能引脚，能够简略实现存储器扩大。

我司推出一款IS62WV51216的兼容替换物料VTI508NL16，VTI508NL16 SRAM芯片的容量达到了512K×16bit，即为8Mb，相当大的容量，可作为弱小微处理器的主缓存应用，能够PIN TO PIN兼容替换IS62WV51216，VTI508NL16产品应用CMOS高性能技术制作, 通常仅以375mW的功率工作。低功耗提供了电池备份数据保留性能，器件采44TSOP2引脚封装， VTI508NL16 SRAM芯片的供电电压VCC的范畴为2.7~3.6V，属于一般主板都能提供的弱电输出电压。

当然，其作为SRAM最大的特点就是在主机断电后，仍能通过由电池供电，持续保留曾经存储在芯片中的数据，并且其数据保留所需的电压VDR升高到1.5V最低，而所需的电流IDR更是低至4A最大值，SRAM芯片相比DRAM的长处在于不须要刷新电路就能保留外部存储的数据，而且更为疾速、低功耗。读写延时在45/55ns左右，堪称是响应极其迅速的一款产品，适宜用在需高速数据传输的设施当中。

规格书下载：IS62wv51216兼容替换型号.pdf)

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