关于芯片:ISSI异步SRAM存储芯片IS61LV25616AL功能简介

IS61LV25616AL是ISSI公司的一款容量为256Kx 16bits的且引脚性能齐全兼容的4Mb的异步SRAM。也是一款大容量且存储工夫绝对较短的存储器。对其管制要求绝对简略。 由一个高速、4,194,304 位的动态RAM,可组成262,144个字(16位)。该器件由ISSI的高性能CMOS技术制作而成。将这种高可靠性的解决技术与翻新的电路设计技术相结合，就产生了高性能和低功耗的IS61LV25616AL器件。ISSI代理英尚微电子提供欠缺的产品解决方案以及技术领导等一体系产品服务。

个性
●高速拜访工夫: 10,12ns
●CMOS低功耗工作
●低期待模式功率:小于CMOS 5mA (典型值)的期待电流
●TTL兼容接口电平
●单个3.3V电源
●齐全动态操作:无需时钟和刷新
●三态输入.
●高低字节数据管制
●可用的工业级温度

 IS61LV25616AL存储器的构造框图

当OE为高电平(不选)时，器件处于期待模式，功耗随着CMOS输出电平-起升高。

芯片使能输出CE和输入使能输出OE可不便实现存储器的扩大。低电平无效的写使能( WE )管制着存储器的写和读操作。高字节(UB)和低字节(LB )管制信号管制着对数据字节的拜访。

IS61LV25616AL含有以下封装模式: JEDEC 规范44脚400-mil SOJ.44脚TSOPTypelI.44 脚LQFP和48脚MiniBGA(8mmX10mm)。

管脚配置

SRAM的次要个性

高速拜访工夫10,12ns ;CMOS低功耗工作;低期待模式功率小于CMOS 5mA典型值的期待电流; TTL兼容接口电平;单个3.3V 电源;齐全动态操作无需时钟和刷新;三态输入;高下字 节数据管制;可用的工业级温度SRAM的生产厂商很多，然而所生产的SRAM的内部结构大同小异。