铁电随机存储器FRAM是一种采纳铁电质薄膜作为电容器以贮存数据的内存，即使在没有电源的状况下仍可保留数据。FRAM次要联合了ROM和RAM的个性，并领有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的长处。非易失性内存是刻薄环境下具备高可靠性的汽车和工业利用的现实之选。
富士通去年公布的2Mbit FRAM MB85RS2MTY已在汽车和工业设施中取得广泛应用，而MB85RS4MTY将其容量进步至4M bit，满足用户对更高容量的需要，配有SPI接口，工作电压为1.8V至3.6V。
富士通电子元器件（上海）有限公司近日发表，推出型号为MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量达到FRAM产品最高程度，运作温度最高可达125℃。目前可为客户提供评测版样品。
这款FRAM产品采纳业界规范8-pin SOP封装，可轻松取代现有相似引脚的EEPROM。还提供8-pin DFN（无引线双侧扁平）封装。
图1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（顶部・底部）
要害规格
组件型号：MB85RS4MT
容量（组态）：4Mbit（512Kx8位）
接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
运作频率：最高50MHz
运作电压：1.8V-3.6V
运作温度范畴：-40°C-+125°C
读/写耐久性：10兆次（1013次）
封装规格：8-pin DFN，8-pin SOP
这款全新富士通铁电RAM是非易失性内存产品，低温125℃的环境下能够达到10兆次读/写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助零碎（ADAS）等汽车利用的最佳抉择。
因为这款FRAM存储器工作电流低，即便在125℃低温下，最大工作电流仅为4mA（运作频率50MHz），最大掉电模式电流为30µA，因而有助于升高环境敏感利用的功耗。
这款全新FRAM在-40℃至+125℃温度范畴内能够达到10兆次读/写次数，适宜某些须要实时数据记录的利用。例如每0.03毫秒重写一次数据，同一地址间断记录数据可达10年之久。
图2：FRAM利用例子
FRAM的读/写耐久性、写入速度和功耗均优于EEPROM和闪存，并已量产20多年，近年来宽泛用于可穿戴设施、工业机器人和无人机。