高密度MRAM作为新兴内存的后劲取代DRAM和闪存等现有设施,通常使它曾经胜利取代Toggle MRAM模式的成熟技术的暗影。

对于Everspin而言，Toggle MRAM的胜利正在帮忙推动其在其余产品畛域的雄心壮志，并且最近发表了其新的32Mb Toggle MRAM，其容量是其以后解决方案的两倍。Everspin示意，它旨在反对须要更高密度选项的要害利用，例如在嵌入式零碎和物联网设施中存储配置，设置和数据记录，以及预测5G网络驱动的设施需要。

那么，为什么不让客户应用两个16Mb设施呢？

新的更高容量的Toggle MRAM能够满足客户的需要，这些客户在板上搁置了16兆，并在此过程中减少了复杂性并占用了更多空间。Toggle MRAM提供了简便性，特地是当它替换SRAM和EEPROM的组合时，将其形容为“kluge修复程序”，尤其是在SRAM中增加了化学电池之后。从（设计）简略性以及设施的长期可靠性的角度来看，真的没有可比性。

Everspin的新型32Mb Toggle MRAM旨在满足嵌入式零碎，物联网设施以及5G网络设备中对配置，设置和数据记录的一直增长的存储要求。

只管5G仍在减速倒退并仍处于测试模式，但Everspin心愿它在将来两年内从连贯的设施的角度来看爆炸式增长，并且推动这些设施的数据和代码容量需要。仅这些设施的数据流就须要越来越多的持久性以实现断电和数据记录。

Everspin的最新Toggle MRAM已在游戏，工业，军事和航空航天市场与客户一起采样，所有这些产品都利用了该产品的有限循环耐久性，可在-40C至+125C的各种温度范畴内进行读写。

除了容量更高之外，32Mb Toggle MRAM还放弃了EVERSPIN所有Toggle MRAM设施中可用的疾速读写访问速度和20年的数据保留，该公司还公布了新的2Mb和8Mb切换数据容量要求较低的客户，以补充现有的1Mb，4Mb和16Mb设施，这些设施均具备串行和并行接口以及几种风行的封装选项。

许多行业议论都围绕高密度MRAM中的STT进行，而遗记了Toggle曾经存在了一段时间。Everspin于2006年首次投入生产，对于领有如此宏大和多样化客户群的公司而言，Everspin具备十分宽泛的产品组合。它为咱们提供了在更先进，更高密度的STT上进行研发的支出。

当今Toggle MRAM的主要用途是在须要保护数据的零碎中替换SRAM电池组合，即便电源敞开或呈现故障也是如此。在裸露于大量辐射的利用中，特地是在卫星中，它也是SRAM或NOR闪存的绝佳替代品。辐射打消了当今支流技术的累赘。

Everspin目前是惟一一家销售分立的独立MRAM芯片的公司，并且自2006年以来始终在商业化生产ToggleMRAM。

STT-MRAM的开发是为了使MRAM的扩大比Toggle以往任何时候都小。Everspin的低密度旧整机是应用130纳米Toggle MRAM制作的，而该公司的较新的90纳米整机则应用STT。最新的Toggle MRAM产品的次要值得注意的更新是密度。

MRAM引起了代工厂的极大趣味，因为它们无奈制作小于28nm的NOR闪存，并且客户正在寻找替代品，而Everspin正在帮忙这些代工厂在其规范CMOS逻辑工艺上推出MRAM。应用MRAM制作的芯片越多，MRAM的生产效率就越高，而其价格却越便宜。这一切都是靠本人为生的，因为它越便宜，它就会卖出更多。

只管STT-MRAM的规模能够比Toggle小，并且继续的工艺缩减将使MRAM的老本降到SRAM，NOR和DRAM以下，而NAND可能仍在很长一段时间内比MRAM便宜。同时Everspin不仅是当先的Toggle MRAM播放器，该公司还是惟一一家销售分立的，独立的MRAM芯片的公司。Everspin代理英尚微电子可为客户提供所有技术支持及产品解决方案等一体系产品服务。