MRAM是一种应用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具备成为通用存储器的后劲-可能将存储存储器的密度与SRAM的速度联合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM能够抵制高辐射，能够在极其温度条件下运行，并且能够防篡改。这使得MRAM实用于汽车，工业，军事和太空利用。Everspin总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。
上面介绍Everspin AEC认证的汽车利用MRAM
MRAM非易失性存储器简直能够在任何汽车零碎中进步性能并降低成本
•以全总线速度保留数据
•意外断电后立刻复原状态
•提供AEC Q-100合格的1级（-40 / 125°C）和3级（-40 / 85°C）
爱护有价值的数据并降低成本MRAM内存是保留贵重的车辆数据，简化设计并升高BOM老本的最佳解决方案。
爱护贵重数据的最佳解决方案
•不须要额定的内存用于磨损平衡
•打消了低廉的电容器
•不再须要功率损耗检测电路
•简化零碎固件，始终保持非易失性
简化并升高BOM老本
•有限的耐用性，可平安保留程序代码
•疾速写入-以系统总线速度工作的内存
•非易失性，数据放弃温度> 20年
•不须要电容器，电池或缓冲液
最大化控制系统的数据拜访
MRAM在放弃非易失性的同时最大化数据收集率
因为较长的读/写周期，耐用性限度而导致数据失落
无脱漏数据，写入速度与SRAM一样快，非易失性，无磨损，电源故障期间无数据失落
MRAM像SRAM一样是疾速写入的，而像Flash一样也是非易失性的，然而不须要页面擦除或长写入周期。事件数据能够以总线速度保留到MRAM，并且即便意外断电或掉电也能够放弃持久性。
Everspin AEC认证的汽车利用MRAM