DDR SDRAM是具备双倍数据传输率的SDRAM，其数据传输速度为零碎时钟频率的两倍，因为速度减少，其传输性能优于传统的SDRAM。DDR SDRAM 在零碎时钟的回升沿和降落沿都能够进行数据传输。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟上升期进行数据传输；而DDR则是一个时钟周期内可传输两次数据，也就是在时钟的上升期和降落期各传输一次数据。上面英尚微电子介绍DDR SDRAM内存倒退历程。

（1）DDR SDRAM

DDR SDRAM双倍数据率同步动静随机存取存储器，它是SDR SDRAM的升级版，DDR SDRAM在时钟周期的回升沿与降落沿各传输一次信号，使得它的数据传输速度是SDR SDRAM的两倍，而且这样做还不会减少功耗，至于定址与管制信号与SDR SDRAM雷同，仅在回升沿传输，这是对过后内存控制器的兼容性与性能做的折中。

DDR SDRAM采纳184pin的DIMM插槽，防呆缺口从SDR SDRAM时的两个变成一个，常见工作电压2．5V，初代DDR内存的频率是200MHz，随后缓缓的诞生了DDR-266、DDR-333和那个时代支流的DDR-400，至于那些运行在500MHz，600MHz、700MHz的都算是超频条了，DDR内存刚进去的时候只有单通道，起初呈现了反对双通芯片组，让内存的带宽间接翻倍，两根DDR－400内存组成双通道的话基本上能够满足FBS 800MHz的奔流4处理器，容量则是从128MB到1GB。

（2）DDR2 SDRAM

DDR2/DDR II SDRAM是由JEDEC进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，尽管同是采纳了在时钟的回升/降落沿同时进行数据传输的根本形式，但DDR2SDRAM内存却领有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟可能以4倍内部总线的速度读/写数据，并且可能以外部管制总线4倍的速度运行。

DDR2的规范电压降落至1.8V，这使得它较上代产品更为节能，DDR2的频率从400MHz到1200MHz，过后的支流的是DDR2-800，更高频率其实都是超频条，容量从256MB起步最大4GB，不过4GB的DDR2是很少的，在DDR2时代的末期大多是单条2GB的容量。

（3）DDR3 SDRAM

DDR3提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效力与更低的电压，是DDR2 SDRAM的后继者（减少至八倍），也是现时风行的内存产品规格。

和上一代的DDR2相比，DDR3在许多方面作了新的标准，外围电压升高到1.5V，预取从4-bit变成了8-bit，这也是DDR3晋升带宽的要害，同样的外围频率DDR3可能提供两倍于DDR2的带宽，此外DDR3还新增了CWD、Reset、ZQ、STR、RASR等技术。

DDR3内存与DDR2一样是240Pin DIMM接口，不过两者的防呆缺口地位是不同的，不能混插，常见的容量是512MB到8GB，当然也有单条16GB的DDR3内存，只不过很稀少。频率方面从800MHz起步，目前比拟容量买到最高的频率2400MHz，实际上有厂家推出了3100MHz的DDR3内存，只是比拟难买失去，反对DDR3内存的平台有Intel的前期的LGA 775主板P35、P45、x38、x48等，LGA 1366平台，LGA 115x系列全都反对还有LGA 2011的x79，AMD方面AM3、AM3＋、FM1、FM2、FM3接口的产品全都反对DDR3。

（4）DDR4 SDRAM

从DDR到DDR3，每一代DDR技术的内存预取位数都会翻倍，前三者别离是2bit、4bit及8bit，以此达到内存带宽翻倍的指标，不过DDR4在预取位上放弃了DDR3的8bit设计，因为持续翻倍为16bit预取的难度太大，DDR4转而晋升Bank数量，它应用的是Bank Group（BG）设计，4个Bank作为一个BG组，可自在应用2-4组BG，每个BG都能够独立操作。应用2组BG的话，每次操作的数据16bit，4组BG则能达到32bit操作，这其实变相进步了预取位宽。

DDR4相比DDR3最大的区别有三点：16bit预取机制（DDR3为8bit），同样内核频率下实践速度是DDR3的两倍；更牢靠的传输标准，数据可靠性进一步晋升；工作电压降为1.2V，更节能。

DDR4内存的针脚从DDR3的240个进步到了284个，防呆缺口也与DDR3的地位不同，还有一点扭转就是DDR4的金手指是两头高两侧低有轻微的曲线，而之前的内存金手指都是平直的，DDR4既在放弃与DIMM插槽有足够的信号接触面积，也能在移除内存的时候比DDR3更加轻松。

如UMI的32位 DDR4 SDRAM,UMI UD408G5S1AF的密度为8Gb，数据速率为3200Mbps/2933Mbps/2666Mbps/2400Mbps/2133Mbps/1866Mbps/1600Mbps。商业工作温度范畴为0℃至+95℃，工业工作温度范畴-40℃至+95℃。反对利用在UltraScale FPGA器件中有助于确保取得最大时序裕量。为保障最佳信号完整性, I/O技术还包含传输预减轻、接管平衡、低抖动时钟和噪声隔离设计技术。英尚微电子反对DDR4SDRAM内存接口送样及测试。

不同类型DDR内存性能参数比照

从DDR到DDR4，不同性能参数差别次要体现在2个中央：电源电压、数据传输速率。电源电压值越来越低，而数据传输速率却是呈几何倍数增长。