在2019寰球闪存峰会上，Everspin作为寰球MRAM存储芯片龙头分享如何用MRAM这类非易失性存储和NVMe SSD构建将来的云存储的解决方案。

首先STT-MRAM作为异样掉电数据缓存的介质有以下几大劣势：

1.   非易失性存储器芯片，比传统的SRAM或者DRAM在数据放弃方面更强；
2.   芯片容量较大，单颗芯片容量高达1Gb；
3.   采纳DDR4接口，带宽能够到2.7GB/s，超强性能；
4.   擦写次数几十亿次！生命周期；
5.   超低提早；
6.   数据保存期很久：85度低温下数据能够保留10年以上；
7.   数据错误率低；
8.   可靠性强。

MRAM可利用在NVMe SSD的下列场景，PCIe SSD、NVMe-oF、全闪存阵列：

NVMe SSD场景

MRAM为NVMe SSD，尤其是QLC做缓存有以下劣势：

采纳MRAM之后，NVMe SSD外部的架构产生了以下图片的变动，将MRAM作为数据缓存应用，而FTL映射表存储仍然是DRAM：

NVMe-oF场景

数据中心采纳NVMe-oF有以下四大劣势：
1.   实现低于1微秒的数据传输，跳过内核、跳过主机CPU和内存、能够P2P传输；
2.   把CPU计算工作摊派到专用计算芯片或者存储控制器；
3.   读写带宽更高；
4.   服务器能够更简略、省电，不必低廉的X86 CPU，用ARM CPU就够了。

以下图片是传统的NVMe-oF的数据流，要通过零碎内存和CPU再进入NVMe SSD，这样会导致读写提早比拟长。

如果采纳了MRAM作为智能网卡上的缓存，数据就间接通过P2P传输给NVMe SSD，并跳过了零碎内存和CPU，大大缩短读写提早，也大幅晋升性能。

MRAM用在全闪存阵列

在全闪存阵列的存储控制器中，MRAM能够作为缓存减速，并晋升产品性能及可靠性，同时能够不须要额定的电池或者电容。

将来的数据中心存储长这样？

将来以NVMe SSD和NVMe-oF为根底的云存储硬件架构如下图，其中MRAM能够用在网卡缓存、NVDIMM、全闪存阵列减速和NVMe SSD外部。

Everspin公司业余设计制作嵌入式MRAM和自旋传递扭矩STT-MRAM的领导者，其市场和应用领域波及数据持久性和完整性，低提早和安全性至关重要。在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中提供了超过1.2亿个MRAM和STT-RAM产品，为MRAM用户奠定了弱小，增长快的根底。Everspin MRAM能够抵制高辐射，能够在极其温度条件下运行，并且能够防篡改。这使得MRAM实用于汽车，工业，军事和太空利用。Everspin代理英尚微电子提供欠缺的产品解决方案及技术方面反对和领导.