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关于芯片:STM32外扩SRAM芯片IS62wv51216兼容替换


STM32MCU 个别状况下配置有 1~2MB 双块 Flash 存储器和 256KB SRAM,在某些利用设计中会呈现内置 RAM 有余的状况,须要对 STM32 单片机进行外扩 RAM 的解决,能够抉择更换更高 RAM 容量的单片机,除了价格贵还须要波及其余被动器件的更改,STM32 系列能够通过 FMSC 接口外扩并口 SRAM,比方采纳 ISSI 的 IS62WV51216,

IS62WV51216 SRAM 芯片是一个 8M 容量,组织构造为 512K*16 的高速率低功耗动态随机存储器。IS62WV51216 高性能 CMOS 工艺制作。高度牢靠的工艺水准再加翻新的电路设计技术,造就了这款高性能,低功耗的器件。应用 IS62WV51216 的片选引脚和输入使能引脚,能够简略实现存储器扩大。

我司推出一款 IS62WV51216 的兼容替换物料 VTI508NL16,VTI508NL16 SRAM 芯片的容量达到了 512K×16bit,即为 8Mb,相当大的容量,可作为弱小微处理器的主缓存应用,能够 PIN TO PIN 兼容替换 IS62WV51216,VTI508NL16 产品应用 CMOS 高性能技术制作, 通常仅以 375mW 的功率工作。低功耗提供了电池备份数据保留性能,器件采 44TSOP2 引脚封装,VTI508NL16 SRAM 芯片的供电电压 VCC 的范畴为 2.7~3.6V,属于一般主板都能提供的弱电输出电压。

当然,其作为 SRAM 最大的特点就是在主机断电后,仍能通过由电池供电,持续保留曾经存储在芯片中的数据,并且其数据保留所需的电压 VDR 升高到 1.5V 最低,而所需的电流 IDR 更是低至 4μA 最大值,SRAM 芯片相比 DRAM 的长处在于不须要刷新电路就能保留外部存储的数据,而且更为疾速、低功耗。读写延时在 45/55ns 左右,堪称是响应极其迅速的一款产品,适宜用在需高速数据传输的设施当中。

规格书下载:IS62wv51216 兼容替换型号.pdf)

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