5 月 6 日，IBM 发表将推出寰球第一个 2 纳米芯片制程，可能在指甲大小的芯片上装置 500 亿个晶体管。IBM 示意在应用雷同功率的状况下，2 纳米芯片相比目前的支流 7 nm 芯片，性能晋升约 45%；在雷同性能程度下，功耗缩小约 75%。
日前，IBM 发表在奥尔巴尼实验室中制作出了首个基于 2nm 技术的芯片，2nm 芯片可能减速人工智能、边缘计算、自主零碎等畛域的利用。IBM 称将在其 IBM Power Systems、IBM Z 等零碎中应用该项技术。
据外媒音讯，IBM 的新型 2nm 芯片实现了 333 MTr/ mm² 的晶体管密度（即每平方毫米包容 3.33 亿个晶体管），相当于台积电 5 纳米芯片晶体管密度的两倍。
下图展现了 IBM 2nm 芯片的技术要点。
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IBM 2nm 芯片应用了三堆栈 GAA 设计，单元高度为 75 nm，宽度 40 nm，每个 nanosheet 的高度为 5 nm，距离 5 nm。门接触间距（gate poly pitch）为 44 nm，长度为 12 nm。
IBM 示意其设计首次应用底部介质隔离通道（bottom dieletric isolation channel），以缩小电流泄露，升高芯片功耗。此外，该芯片外部距离应用了第二代 dry process 设计。
目前看来，IBM 在 2nm 芯片制程上的冲破当先于其竞争对手。苹果 M1 芯片和 A14 芯片基于台积电的 5nm 芯片制程技术；AMD 和高通等应用台积电的 7nm 芯片，高通骁龙 888 应用三星 5nm 芯片制程技术；英特尔应用的是 10nm 和 14nm 芯片。台积电目前也在研发 2nm 芯片制程，其 4nm 和 3nm 制程生产预计将于下一年投入批量生产。
IBM 的 2nm 芯片目前仍处于概念验证阶段。IBM 混合云副总裁 Mukesh Khare 示意，2nm 芯片制程将在 2024 年底投入生产。
参考链接：
- https://www.ibm.com/blogs/res…
- https://www.zdnet.com/article…
- https://www.anandtech.com/sho…
- https://www.engadget.com/ibm-…