铁电随机存储器 FRAM 是一种采纳铁电质薄膜作为电容器以贮存数据的内存，即使在没有电源的状况下仍可保留数据。FRAM 次要联合了 ROM 和 RAM 的个性，并领有高速写入数据、低功耗和高速读 / 写周期的长处。非易失性内存是刻薄环境下具备高可靠性的汽车和工业利用的现实之选。
富士通去年公布的 2Mbit FRAM MB85RS2MTY 已在汽车和工业设施中取得广泛应用，而 MB85RS4MTY 将其容量进步至 4M bit，满足用户对更高容量的需要，配有 SPI 接口，工作电压为 1.8V 至 3.6V。
富士通电子元器件（上海）有限公司近日发表，推出型号为 MB85RS4MTY 的 4Mbit FRAM，其容量达到 FRAM 产品最高程度，运作温度最高可达 125℃。目前可为客户提供评测版样品。
这款 FRAM 产品采纳业界规范 8 -pin SOP 封装，可轻松取代现有相似引脚的 EEPROM。还提供 8 -pin DFN（无引线双侧扁平）封装。
图 1：MB85RS4MTY 8-pin DFN（顶部・底部）
要害规格
组件型号：MB85RS4MT
容量（组态）：4Mbit（512Kx8 位）
接口：SPI（Serial Peripheral Interface）
运作频率：最高 50MHz
运作电压：1.8V-3.6V
运作温度范畴：-40°C-+125°C
读 / 写耐久性：10 兆次（1013 次）
封装规格：8-pin DFN，8-pin SOP
这款全新富士通铁电 RAM 是非易失性内存产品，低温 125℃的环境下能够达到 10 兆次读 / 写次数，工作电流低，是工业机器人和高级驾驶辅助零碎（ADAS）等汽车利用的最佳抉择。
因为这款 FRAM 存储器工作电流低，即便在 125℃低温下，最大工作电流仅为 4mA（运作频率 50MHz），最大掉电模式电流为 30µA，因而有助于升高环境敏感利用的功耗。
这款全新 FRAM 在 -40℃至 +125℃温度范畴内能够达到 10 兆次读 / 写次数，适宜某些须要实时数据记录的利用。例如每 0.03 毫秒重写一次数据，同一地址间断记录数据可达 10 年之久。
图 2：FRAM 利用例子
FRAM 的读 / 写耐久性、写入速度和功耗均优于 EEPROM 和闪存，并已量产 20 多年，近年来宽泛用于可穿戴设施、工业机器人和无人机。