Everspin 成立于 2006 年，是从飞思卡尔分离出来的一家半导体科技公司，以领导非易失性 MRAM 存储芯片为公司主导致力于非易失性存储芯片的倒退，是寰球惟一一家业余生产销售磁性随机存取内存 (MRAM)，目前该产品曾经利用于多个行业，如人工智能，金融数据等。
Everspin 一款串口 mram 芯片，型号为 MR25H10CDF，工作温度范畴：-40℃to+85℃，是一款工业级别的存储芯片，可用于工控设施的利用，特地是对温度有严格要求的利用，存储容量 1Mb（128Kx8），数据位宽 8 位。
MR25H10CDF 提供串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读 / 写定时，没有写入提早和有限读 / 写耐久性。与其余串行存储器不同，读取和写入都能够在内存中随机产生，写入之间没有提早。MR25H10 是用于应用大量 I / O 引脚疾速存储和检索数据和程序的利用的现实内存解决方案。封装采纳 5mmx6mm Small Flag 8-DFN 提供。两与串行 EEPROM，FLASH 和 FERAM 产品兼容。
MR25H10CDF 在各种温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产品提供工业（-40℃至 +85℃）和 AEC-Q100 级（-40℃至 +125℃）的工作温度范畴选项。
MR25H10CDF 特点
•没有写提早
•无限度写耐力
•数据保留超过 20 年
•电源损耗的主动数据保护
•块写爱护
•疾速，简略的 SPI 接口，最高速度为 40MHz 时钟速率
•2.7 至 3.6 伏电源范畴
•低电流睡眠模式
•工业温度
•提供 Small Flag 8-DFN RoHS 兼容封装
•间接更换串行 EEPROM，Flash，Feram
•AEC-Q100 等级 1 选项
MRAM 是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。everspin MRAM 具备成为通用存储器的后劲, 可能将存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具备非易失性和节能性。MRAM 能够抵制高辐射，能够在极其温度条件下运行，并且能够防篡改。这使得 MRAM 实用于汽车、工业、军事和太空利用。