内存被视为一种必要的技术，然而工厂自动化、主动驾驶汽车、便携式医疗设施、边缘计算和物联网传感器等新利用正在迫使性能要求发生变化。因而用于评估和抉择特定应用程序内存的规范也产生了变动。
NAND、NOR 和 FRAM 在各种利用中都有不同的劣势。因为这些解决方案中的每一个都有针对特定指标应用程序的独特功能集，因而确定哪种类型的内存解决方案可为所需应用程序提供最佳性能和可靠性十分重要。数据中心、计算机和生产设施中的海量存储须要最高的密度和最低的每比特老本，通常由 NAND 闪存反对。嵌入式计算机存储启动代码和事务数据，通常在 NORFlash 中可用。数据记录器、传感器和边缘计算机在长时间内捕捉疾速变动的数据应用专门的技术，例如铁电 RAM(FRAM)。
让咱们看看哪些内存与这些工作负载相匹配：
NAND 闪存
NAND FLASH 常见于数据中心、云服务器和生产设施中。它的高密度使其成为这些工作的现实抉择，并且因为更好的工艺和几何膨胀，技术失去了改良。每 GB 老本持续降落，读 / 写性能持续体现良好。然而这种解决方案也存在肯定的局限性：每个编程 / 擦除周期都会对单元的小尺寸造成压力，从而升高其耐用性，并且尺寸也意味着大概 10 年的数据保留工夫低于其余内存解决方案。
NOR 闪存
NOR Flash 具备用于保留长数据的大型存储单元和字节可寻址架构，因而非常适合用于疏导代码，其中包含就地执行零碎和事务数据。NOR 牢靠且易于应用，其最新改良为故障安全操作提供性能平安和平安启动工具。对于汽车仪表盘和其余性能，NOR 能够反对疾速读取和即时启动性能。然而 NOR 密度低于 NAND。
FRAM 内存
FRAM 非常适合须要通过应用较少的功率长时间间断捕捉数据的设施。存储单元交替极性，应用起码的能量来缩短电池寿命并提供近乎有限的耐用性。FRAM 还打消了能量或电荷透露问题，因而数据保留至多能够继续 100 年。与广泛认识相同，FRAM 不会被磁场烦扰；然而它的密度无奈反对编码和海量存储需要。
归结为：抉择适合的内存有助于确保产品的胜利。NAND 闪存非常适合云计算和集体电子产品中常见的海量存储工作负载。相比之下，NOR Flash 和 FRAM 实用于嵌入式零碎和边缘设施，它们通常位于极其和偏僻的环境中。随着边缘计算的倒退，人工智能的提高正在推动新性能的倒退，并进步对进步故障安全操作规范的需要，这反过来迫使制造商提供具备平安和安保性能的 NOR Flash 和 FRAM。内存存储芯片供应商英尚微电子可提供产品相干技术支持.