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MRAM 是一种非易失性存储技术，能够在不须要电源的状况下将其内容保留至多 10 年。它实用于在零碎解体期间须要保留数据的商业利用。基于 MRAM 的设施能够为“黑匣子”利用提供解决方案，因为它以 SRAM 的速度写入数据，同时在产生总功耗之前保留数据。Everspin 一级代理英尚微电子本文介绍 MRAM 与其余内存技术的相比拟。
MRAM 与内存
内存选项的比拟与其余内存技术选项相比，MRAM 具备显著的劣势（下表 1）。
表格 1 MRAM 与其余内存技术相比具备绝对劣势
Flash
这项技术利用电荷存储在笼罩在栅极氧化物上的一块浮动多晶硅（浮动栅极）上。对闪存位单元进行编程须要一个高电压场，该场能使电子减速得足够快，以克服硅与浮栅之间的氧化物的能垒。
这导致电子穿透氧化物并为浮置栅极充电，从而扭转了位单元晶体管的阈值电压。电子通过氧化物的重复转移逐步使氧化物资料磨损，在位不再起作用之前，闪存被限度为 10K-1M 写周期。
间断写入会在 10 天之内耗尽一些闪存。同时因为不波及充电或放电，MRAM 能够接受有限的写入周期。编程过程中会旋转磁极，这是一种无损且无损的操作。
在编程期间，闪光灯须要低压能力使电子穿过氧化物资料。MRAM 应用产生磁场的电流来编程自在层。此外，闪存对存储器阵列的大块执行编程器擦除操作。MRAM 在单个地址上执行写入。
SRAM
SRAM 应用放弃 CMOS 逻辑电平的有源晶体管，须要电源能力保留存储器内容。MRAM 存储器的内容放弃在其自在磁性层的极性中。因为该层是磁性的，即便没有电源也能够放弃其状态。
随着技术一直缩小 SRAM 单元的体积，较小的几何器件往往会透露更多电流。对于单个单元来说，这种透露很小，然而当与存储设备中的数百万个单元相乘时，透露就变得很显著。随着技术的萎缩，这种影响无望放弃。鉴于 MRAM 的非易失性，能够在零碎中应用掉电技术以实现零电流透露。
电池供电的 SRAM
它由一个 SRAM 单元和一个包装在同一包装中的电池组成。该非易失性存储器应用电池电量来保留存储器内容。同时 MRAM 不须要电池来保留数据，并且以比电池后备 SRAM 更快的速度执行读 / 写操作。这样能够进步可靠性并打消与电池解决无关的环境问题。
EEPROM
与 MRAM 相比，该独立存储器的编程速度要慢得多，并且写入循环能力无限。
NVSRAM
也称为非易失性 SRAM，它联合了 SRAM 和 EEPROM 性能。它会在断电时将数据从 SRAM 存储到 EEPROM。然而数据传输十分慢，并且在数据传输期间须要大的内部电容器来放弃 NVSRAM 的电源。MRAM 提供了更快的写入速度，能够在失常的零碎操作期间写入数据。
因而在掉电期间起码的数据传输是必须的。应用 MRAM 的应用程序也能够受害于平安写入存储器而无需应用大型内部电容器。
FRAM
另一个非易失性 RAM 铁电 RAM（FRAM）具备典型的小型阵列大小，范畴从 4Kbit 到 1Mbit。阵列尺寸很小，因为该技术的可扩展性无限，无奈进一步放大位单元的尺寸。
没有这种可伸缩性限度，MRAM 能够提供更大的内存阵列。而且 MRAM 的编程速度比 FRAM 快。一些 FRAM 具备无限的循环能力（例如 100 亿个循环）。他们还须要在读取后刷新存储器，因为该操作会毁坏正在读取的位单元的内容。
DRAM
应用此技术，必须常常刷新内存以保留数据。
