内部 SRAM 作为存储中等大小的数据模块的缓冲体现良好。能够应用内部 SRAM 作为不适宜片内存储器且反应时间又低于 SDRAM 的数据缓存。还能够将多个 SRAM 相组合以减少容量。
SRAM 也是随机寻址数据的最佳抉择。很多 SRAM 器件都能够存取无序地址的数据，反应时间与存取有序地址的数据一样短，而 SDRAM 在这一点上做得并不好。SRAM 是大型 LUT 的现实存储器品种，可能贮存诸如对于片内存储器来说过于微小的色调转换运算法令数据。
内部 SRAM 作为执行存储器为无缓存的 CPU 工作时体现绝对良好。当 CPU 没有缓存来缓冲其它品种存储器的高反应时间时，内部 SRAM 的低反映工夫个性有助于改善 CPU 的性能。
为使内部 SRAM 器件达到出最佳性能，倡议遵循应用与连贯的主零碎控制器的接口数据带宽雷同的 SRAM。如果管脚应用或板上空间的限度高于零碎性能要求，能够应用较连贯的控制器的数据带宽小一些的 SRAM 设施，以便缩小管脚数量并缩小 PCB 板上可能的存储器数量。然而，这种变动将导致升高 SRAM 接口的性能。
国产 SRAM 芯片厂家伟凌创芯 SCLPSRAC1 是一款可用于外扩 MCU 的动态 SRAM，容量为 512Kbit 的 Serial SRAM，它在外部组织为 64K 字，每个字 8 位。最大时钟频率 20MHz，提供高速性能和低功耗。采纳节俭空间的 8 -TSSOP 规范封装封装。代理商英尚微反对提供样品测试及产品相干技术支持。