SRAM 作为读写速度最快的内存介质，具备很多劣势，比方，它能够向更先进的制程节点兼容，具备高能效比的计算劣势，同时它又不存在其余非易失性存储所具备的耐久性问题，更重要的是，基于 SRAM 的设计方案，能够反对纯数字化设计，从而可能解决很多利用场景所关怀的精度问题。
SRAM 计划在现阶段具备三点劣势，SRAM 是所有存储类型中最快的，且没有写次数限度，对于谋求快响应的场景简直是必选；SRAM 可向先进制程兼容，从而达到更高的能效比和面效比；绝对新型存储器，SRAM 的工艺成熟度较高，能够绝对较快地实现技术落地与量产。
存内计算存在多种基于不同存储介质的技术门路，如 SRAM、Flash 及其它新型存储器。SRAM 工艺成熟度高，具备向先进节点高兼容性和有限擦写次数的劣势，在计算时可能做到精度无损、读写提早短，实用于诸如主动驾驶、无人机等对计算准确性和反应速度要求高的场景。