PSRAM 存储芯片是罕用的内部存储设备。具备 SRAM 接口协议、给出地址、读写指令、实现数据存储。不须要简单的内存控制器来管制内存单元来定期刷新数据。传统的 SRAM 它由六个晶体管组成 cell，而 psram 它由一个晶体管制成一个电容形成一个存储 cell，因而 psram 可实现较大的存储容量。
串行 PSRAM 的低引脚封装和传统 RAM 贮存相比，具备尺寸小、成本低等长处。串行 psram 对外互联通过八路串联，最高为 200MHz 双倍数据速率在速度下，可实现超 3Gbps 带宽传送。相比拟于传统存储器具备更大的带宽。
串行 PSRAM 选用 DRAM 架构，能无效压缩芯片体积，串行 psram 生产成本靠近 DRAM 老本，具备老本较低的劣势。psram 自刷新无需刷新电路即可存储其外部存储的数据；DRAM 每隔一段时间，刷新充电一次，否则外部数据就会隐没，psram 相比传统 RAM 会有更宽泛的利用。
PSRAM 目前反对的规范有 JEDEC JESD251A(Profile 2.0)、HyperRAM、Xccela standards，其对应的厂家为 apmemory。
APS6404L 该 PSRAM 存储器器件具备高速，低引脚数接口。具备 4 个 SDR I/ O 引脚，并以高达 144 MHz 的频率在 SPI 或 QPI 模式下运行。适宜于低功耗和低成本便携式利用。联合了无缝的自我管理刷新机制。因而它不须要零碎主机反对 DRAM 刷新。采纳小尺寸封装 8 引线 USON-8L 3x2mm。英尚提供驱动、例程以及必要的 FAE 反对。