磁阻 RAM（MRAM）是一种非易失性存储技术，能够在不须要电源的状况下将其内容保留至多 10 年。它实用于在零碎解体期间须要保留数据的商业利用。基于 MRAM 的设施能够为“黑匣子”利用提供解决方案，因为它以 SRAM 的速度写入数据，同时在产生总功耗之前保留数据。
MRAM 还实用于具备简历播放性能的娱乐应用程序。掉电期间，批示播放媒体工夫戳的书签会疾速存储在非易失性 MRAM 中。而后简直立刻进行后续播放并持续播放（下图 1）。
图 1：掉电期间，书签存储在 MRAM 中，以容许媒体持续播放应用程序
通过治理加密，平安零碎也能够从 MRAM 中受害。加密参数能够疾速存储并在零碎敞开期间保留。对于在断电期间须要疾速数据参数存储和数据完整性的游戏机也是如此。
Everspin MR2A16A 提供了 SRAM 兼容的 35 ns 读 / 写定时信号，具备有限的耐久性。数据始终会放弃 20 年以上的非易失性。低压禁止电路可主动在断电时爱护数据，避免电压超出规格的写入。对于必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用，MR2A16A 是现实的存储器解决方案。
MR2A16A 采纳小尺寸的 48 引脚球栅阵列（BGA）封装和 44 引脚薄型小型形状封装（TSOP Type 2）。这些封装与相似的低功耗 SRAM 芯片产品和其余非易失性 RAM 产品兼容。MR2A16A 在宽泛的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。该产品提供商用（0 至 +70°C），工业（-40 至 +85°C），扩大（-40 至 +105°C）和 AEC-Q100 1 级（-40 至 +125°C）C）工作温度范畴选项。Everspin 代理英尚微提供业余利用解决方案等技术支持。