EVERSPIN 内存
Everspin 是设计，制作和商业销售分立磁阻 RAM（MRAM）到市场和利用的寰球领导者，在这些市场和利用中，数据持久性和完整性，低提早和安全性至关重要。MR2xH40xDF 是一个 4194,304 位磁阻随机存取存储器（MRAM）设施系列，组织为 524,288 个 8 位字。对于必须应用大量 I / O 引脚疾速存储和检索数据和程序的应用程序，它们是现实的内存解决方案。它们具备串行 EEPROM 和串行闪存兼容的读 / 写时序，没有写提早，并且读 / 写寿命不受限制。与其余串行存储器不同，应用 MR2xH40xDF 系列，读取和写入都能够在内存中随机产生，而写入之间没有提早。Everspin 代理英尚微电子反对产品利用解决方案以及产品方面技术支持。
总览
MR2xH40xDF 系列是一个 SPI 接口 MRAM 系列，其存储器阵列应用芯片抉择（CS），串行输出（SI），串行输入（SO）和串行外围设备的串行时钟（SCK）的四针接口逻辑组织为 512Kx8 接口（SPI）总线。MRAM 实现了 SPIEEPROM 和 SPIFlash 组件通用的命令子集。这样，SPI MRAM 能够替换同一插槽中的这些组件，并在共享的 SPI 总线上进行互操作。与其余串行存储器替代品相比，SPI MRAM 具备卓越的写入速度，有限的耐用性，低待机和运行能力以及简略，牢靠的数据保留。
牢靠的供给
Everspin 是 MRAM 产品的长期牢靠制造商，并在亚利桑那州钱德勒设有制造厂。
MR2xH40xDF 的长处
与 CYPRESS FRAM 相比，降级到 Everspin MRAM 具备许多劣势：
•更快的随机拜访操作工夫（50MHz/20nstCLK 和 40MHz/25nstCLK）
•高可靠性和数据保留（在 125°工作温度下超过 20 年）
•有限读 / 写耐久性
•不必放心
•掉电时的主动数据保护
•竞争定价
•稳固的制造业供应链
一般引脚
MR2xH40xDF 是组织为 512Kx8 的 4Mb 非易失性 RAM，采纳标称 3.3V 电源供电，并且与 FRAM 兼容。它提供规范的 8 引脚小标记 DFN（DF 版）和 8 引脚 DFN（DC 版），它们是多功能封装选项，能够用 SPI-FRAM8 引脚 SOIC 和 8 引脚 GQFN 代替它。包（表 1）。从硬件的角度来看，要害的区别在于用于封装引脚（引脚 7）的 PCB 的变动。从软件的角度来看，这两个设施之间的次要区别在于引脚 7 的性能和设施 ID。当主机 CPU 必须中断存储器时，应用 MR2xH40xDF 的 HOLD#引脚（引脚 7）另一个工作的操作。当 HOLD#为 LOW 时，以后操作被挂起。设施将疏忽 SCK 或 CS#上的任何过渡。当 SCK 为低电平时，必须在 HOLD#上进行所有转换。如果不应用，此引脚必须连贯到 VDD。可能须要更改硬件和软件能力在 MRAM 上启用 HOLD#性能。FRAM 上的引脚 7 是 DNU 或不应用。
表 1. 引脚和封装比拟