RAID 存储系统概述
RAID 最后由 UCBerkeley 的 Garth Gibson，Randy Katz 和 Dave Patterson 于 1980 年代前期形容为“便宜磁盘冗余阵列”。当初它已成为实现以下目标的冗余和并行性的数据存储计划的统称：与单个磁盘驱动器或“只是一堆磁盘”（JBOD）相比，具备更好的容错能力和更好的输出 / 输入（I/O）性能。RAID 通常代表由许多存储磁盘组成的零碎，服务器能够通过高速以太网或光纤通道（FC）介质拜访这些存储磁盘。磁盘驱动器 I / O 速度是大多数存储系统中的次要性能瓶颈。通常 RAID 零碎应用并行磁盘拜访和高速缓存来进步读取和写入性能，同时应用冗余磁盘进行故障复原以加强容错能力。
通常应用电池来备份 RAID 零碎中的高速缓存（尤其是写高速缓存），以防止因为电源故障而失落数据。在许多此类零碎中，写日志用于在数据从主机传输到存储系统时跟踪数据，并容许疾速零碎复原，以防在将数据提交到磁盘之前产生电源或磁盘故障。如果在进行写事务时断电，则会在加电时回读日志存储器以标识挂起的写操作。RAID 控制器会一直拜访日志以写入日志，因而写入日志性能须要具备高速和高耐久性的非易失性存储器。此外存储在该存储器中的数据的可靠性至关重要，因为在电源故障的状况下失落该数据会导致存储系统的长时间停机。
NV-SRAM
NV-SRAM（非易失性动态随机存取存储器）是具备 SRAM 接口的疾速非易失性存储器。对 NV-SRAM 的所有读取和写入均由 SRAM 实现，这使其具备独特的能力以极高的速度执行有限的读取和写入操作。如果断电则保留在 SRAM 中的数据将被传输到与每个 SRAM 单元集成在一起的非易失性（NV）元件中。上电时数据主动传输回 SRAM。高速和有限的写 / 读耐久性和高可靠性使 NV-SRAM 成为写日记应用程序的现实非易失性存储解决方案。