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关于存储技术:可增加应用程序的512Kbi的Serial-SRAM芯片23LC512

传统上,有两种办法能够减少应用程序的 ram:
应用更大的微控制器 (MCU):如果必须购买更大、更低廉的 MCU 以取得更多 RAM,则此选项的吸引力较小
应用内部并行 RAM:但并行 RAM 应用大型封装,通常须要至多 16-20 个 I /O
串行 SRAM 提供了在设计中增加 RAM 的灵活性,而没有大型 MCU 或并行 RAM 的毛病,并应用简略的 4 针 SPI 接口。这些器件还通过 SDI 和 SQI 接口提供了更高的性能,可将数据速率进步多达 4 倍。

上面介绍一款可减少应用程序的 512Kbi 的 Serial SRAM 芯片 23LC512,需理解更多产品相干材料及技术支持可分割英尚微电子。

Microchip 型号 23LC512 容量 512Kbit 串行 SRAM,与当初许多 MCU 系列的串行外设接口端口连贯。它还能够通过应用在固件中正确编程以匹配 SPI 协定的离散 I / O 线与没有内置 SPI 端口的微控制器连贯。23LC512 还可能在 SDI/SQI 高速 SPI 模式下工作。

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