EMI502NL16VM 系列由 EMI 先进的全 CMOS 工艺技术制作。这些系列反对工业温度范畴和芯片级封装，以使用户灵便地进行零碎设计。该系列还反对低数据放弃电压，以低数据放弃电流实现电池备份操作。此款国产 SRAM 芯片可替换 ISSI IS61WV12816EDBLL。EMI 代理反对提供技术支持及样品测试。
特色
●工艺技术：全 CMOS
●位宽：128Kx16 位
●电源电压：2.3V〜3.6V
●低数据放弃电压：1.5V（最小值）
●三态输入和 TTL 兼容
●规范 44TSOP2，48BGA
●工业操作温度
引脚封装
ISSI IS6164WV12816EDBLL 是一种高速的 2,097,152 位动态 RAM，以 131,072 个字乘 16 位组织。它是应用 ISSI 的高性能 CMOS 技术制作的。这种高度牢靠的过程与翻新的电路设计技术相结合，可生产出高性能和低功耗的设施。IS61WV12816EDBLL 封装在 JEDEC 规范的 44 引脚 TSOP-II 和 48 引脚 BGA 中。
特色
CMOS 待机
•单电源
-Vdd2.4V 至 3.6V（10ns）
-Vdd3.3V±10%（8ns）
•齐全动态操作：无需时钟或刷新
•三态输入
•高低字节数据管制
•工业和汽车温度反对
•无铅可用
•谬误检测和谬误纠正
引脚封装