EMI164NA16LM 该设施是一个集成的存储器设施，其中蕴含 64Mbit 动态随机存取存储器，应用自刷新 DRAM 阵列由 16 位组织为 4M。模具具备独自的电源轨，VCCQ 和 VSSQ，用于从设施外围的独自电源运行。
特色
•电源
-VCC 和 VCCQ 电压：3.0V（2.7V〜3.6V）
•配置：64MB（4MBX16）
•读取速度
- 异步读拜访：70ns
•低功耗
- 异步操作：<30mA
- 待机电流：<350UA（最大值）
•低功耗性能
- 片上温度弥补自刷新（TCSR）
•工作温度范畴：-40°C〜+85°C（工业）
•包装：48 TFBGA（6.0×7.0mm）
引脚封装
48 TFBGA（6.0×7.0mm）
EMI164NA16LM 该设施是 67,108,864 位 pSRAM，应用 DRAM 型存储器单元，但该器件具备无刷新操作和极其低功耗技术。接口与低功耗异步类型 SRAM 兼容。该设施组织为 4,194,304 字 x16 位。
图 2. 性能框图
性能形容
64MB 设施蕴含 67,108,864 位 DRAM 外围，组织为 16 位的 4,194,304 个地址。该设施包含行业标准，在其余 LOW Pexer SRAM 产品上找到的异步内存接口
表 1 性能形容
1. 当 UB#和 LB#处于抉择模式（低）时，DQ0〜DQ15 受到如图所示的影响。
当仅 LB#处于抉择模式时，DQ0〜DQ7 受到如图所示的影响。只有 UB#处于抉择模式时，DQ8〜DQ15 会受到如图所示的影响。
2. 当设施处于待机模式时，管制输出（We#，OE#），地址输出和数据输出 / 输入在外部与任何内部影响拆散。
3. 当咱们#处于活动状态时，OE#INPUT 在外部禁用，对 I / O 没有影响。
4. 只有更改地址，设施将在此模式下耗费无效电源。
5.VIN=VCCQ 或 0V，所有器件引脚都是动态（未切换的），以实现备用电流。
对于 EMI
安徽伟凌创芯微电子有限责任公司（简称 EMI）位于合肥市高新区，是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场专用芯片 / 小型蓝牙 SOC 芯片 / 存储芯片 SRAM/PSRAM 及整体解决方案，第一代产品波及千兆 / 万兆 USB 网口芯片以及音视频接口芯片。提供翻新、高品质、高性价比、供货继续稳固的芯片，并通过提供软硬件 Turnkey solution，升高客户研发难度，缩短客户量产时程。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。EMI 代理英尚微电子反对提供产品相干技术支持。