FRAM 是一种非易失性存储器产品，具备读写耐久性高、写入速度快、功耗低等长处，富士通推出了具备并行接口型号 MB85R8M2TA 的 8Mbit FRAM 存储芯片，这是富士通 FRAM 产品系列中第一款保障 100 万亿读 / 写周期的产品。
与富士通的传统产品相比，新产品实现了高速运行、约 30% 的访问速度和低功耗、10% 的工作电流。该存储器 IC 是须要高速运行的工业机器中 SRAM 的现实替代品。
图 1：MB85R8M2TA 封装
富士通自 2018 年 6 月开始提供具备并行接口的 8Mbit FRAM MB85R8M2T。在推广该产品的同时，听到了客户的声音，例如保障写入寿命超过 10 万亿次，运行速度与 SRAM 雷同，TSOP 封装与 SRAM 兼容。富士通推出满足这些要求的新 8Mbit FRAM 产品，放弃 FRAM 的低功耗的独特个性。非常适合工业机器，同时实现高速运行和低功耗。
MB85R8M2TA 具备与 SRAM 兼容的并行接口，可在 1.8V 至 3.6V 的宽电源电压范畴内运行。它是富士通 FRAM 产品系列中第一款保障 100 万亿读 / 写循环工夫的产品。
可能在疾速页面模式下运行高达 25ns，新的 FRAM 在间断数据传输时的访问速度与 SRAM 一样高。与富士通的传统 FRAM 产品相比，它不仅实现了更高的运行速度，而且实现了更低的功耗。该 FRAM 最大写入电流 18mA，比目前产品小 10%，最大待机电流 150µA，小 50%。采纳 44 引脚 TSOP 封装，同封装作为富士通的 4MbitFRAM 以及 48 引脚 FBGA 封装。
富士通半导体存储器解决方案致力于在开发高性能产品的同时为可继续社会做出奉献。例如，该公司持续致力于低功耗 FRAM 产品的开发。随着功率耗费的缩小，它的目标是缩小 CO2 排放量更少的温室气体。富士通将持续满足市场和客户的需要和要求，并开发环保型内存产品。