富士通 FRAM 是新一代非易失性存储器，其性能优于 E2PROM 和闪存等现有存储器，功耗更低，提供更高的速度和耐屡次读写操作。FRAM 是非易失性的，但在 RAM 等其余方面运行。这种突破性的存储介质用于各种利用，包含智能卡、RFID、平安和许多其余须要高性能非易失性存储器的利用。本篇文章代理商英尚微电子介绍富士通串行 FRAM 存储器 64K MB85RS64。
■形容
MB85RS64 是一款 8,192 字×8 位配置的 FRAM（铁电存储器）芯片，采纳铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术造成非易失性存储单元。MB85RS64 采纳串行外设接口（SPI）。MB85RS64 可能在不应用备用电池的状况下保留数据，这是 SRAM 所须要的。
MB85RS64 采纳的存储单元可进行 1010 次读写操作，相比 Flash 存储器和 E2PROM 反对的读写操作次数有显著晋升。MB85RS64 不像闪存和 E2PROM 那样须要很长时间来写入数据，并且 MB85RS64 不须要等待时间。
■特点
•位配置：8,192 字×8 位
•Serial Peripheral Interface:SPI 对应 SPI 模式 0(0,0) 和模式 3(1,1)
•工作频率：20MHz（最大）
•高耐用性：100 亿次读 / 写
•数据保留：10 年(+85℃)
•工作电源电压：2.7V 至 3.6V
•低功耗: 工作电源电流 1.5(TBD)mA(Typ@20MHz) 待机电流 10μA(TBD)(Typ)
•工作环境温度范畴：-40℃至 +85℃
•封装：8 针塑料 SOP(FPT-8P-M02)合乎 RoHS
引脚调配
独立 FRAM 提供了将 FRAM 异化到任何须要高速非易失性存储器的零碎的灵活性。FRAM 不须要电池来备份其数据，从而在整个零碎中节俭了大量老本和电路板空间。它能够用于存储设备的设置、配置、状态，并且数据能够在当前应用。这些存储的数据可用于重置设施、剖析上次状态和激活复原操作。逐字节随机拜访使内存治理更无效。
FRAM 只是一种像 ram 一样运行的高速非易失性存储器。这容许程序员依据须要灵便地调配 ROM 和 RAM 存储器映射。它为最终用户发明了在底层对 FRAM 进行编程以依据他们的集体进行定制的机会.