CYPRESS 在包含汽车、工业、家庭自动化和家电、医疗产品和生产电子业务畛域。次要向客户提供市场当先的 MCU、无线 SoC、存储器、模仿 IC 和 USB 控制器的解决方案。在疾速倒退的物联网畛域取得了劣势和横跨传统市场的业务笼罩。Cypress 代理英尚微给大家分享一款具备扩大温度的 2Mbit 串行 FRAM 存储器 FM25V20A-DGQTR。
FM25V20A-DGQTR 性能介绍
FM25V20A-DGQTR 是采纳先进铁电工艺的 2Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器或 FRAM 是非易失性的，并且执行相似于 RAM 的读取和写入操作。它提供了 121 年的牢靠数据保留，同时打消了由串行闪存，EEPROM 和其余非易失性存储器引起的复杂性，开销和零碎级可靠性问题。
与串行闪存和 EEPROM 不同，FM25V20A-DGQTR 以总线速度执行写操作。没有写入提早。每个字节胜利传输到设施后，立刻将数据写入存储器阵列。下一个总线周期能够开始而无需数据轮询。此外，与其余非易失性存储器相比，该产品具备显着的写入耐久性。FM25V20A-DGQTR 可能反对 1014 个读 / 写周期，或比 EEPROM 多 1000 万倍的写周期。
这些性能使 FM25V20A-DGQTR 非常适合须要频繁或疾速写入的非易失性存储器利用，例如数据收集（可能是要害的写入周期数）到要求严格的工业管制，而串行闪存或 EEPROM 的长时间写入会导致数据失落。
FM25V20A-DGQTR 为串行 EEPROM 或闪存的用户提供了可观的益处，可作为硬件的代替产品。FM25V20A-DGQTR 应用高速 SPI 总线，从而加强了 FRAM 技术的高速写入能力。该设施蕴含一个只读的设施 ID，该 ID 容许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至 +105℃的扩大温度范畴内保障器件的规格。
特色
■逻辑组织为 256K×8 的 2Mbit 铁电随机存取存储器（FRAM）
•高耐用性 10 万亿（1014）读 / 写
•121 年的数据保留
•NoDelay™写道
•先进的高可靠性铁电工艺
■极快的 SPI
•高达 33MHz 的频率
•间接更换串行闪存和 EEPROM 的硬件
•反对 SPI 模式 0（0，0）和模式 3（1，1）
■简单的写爱护计划
•应用写爱护（WP）引脚进行硬件爱护
•应用禁止写入指令进行软件保护
•实用于 1 /4、1/ 2 或整个阵列的软件块爱护
■设施 ID
•制造商 ID 和产品 ID
■低功耗
•在 33MHz 时有 3.0mA 有功电流
•400µA 待机电流
•12µA 睡眠模式电流
■低压操作：VDD=2.0V 至 3.6V
■扩大温度：–40℃至 +105℃
■8 引脚薄型双扁平无引线（DFN）封装
■合乎有害物质限度（RoHS）