Everspin 半导体为环境刻薄的利用，如军事、航空航天、工业和汽车零碎等提供非易失性存储技术。Angstrom Aerospace 在其磁力计子系统中应用 Everspin 的温度范畴更大的 4Mbit，该零碎将被搭载在日本的一颗钻研卫星发射进入太空。
在数据存储的可靠性和持久性方面，同类产品无奈与 Everspin 的 MRAM 产品相比，Everspin 的 4mbit MRAM 器件取代了 SpriteSat 的 Angstrom 模块中的闪存和以电池为电源的 SRAM。可能在卫星研发工作的不同阶段重新配置要害程序和路线定义，这是一项十分了不起的劣势。
Angstrom Aerospace 之所以抉择 Everspin 的 4Mbit MRAM 器件，是因为它汇合了泛滥长处，如非易失性内存、扩大的温度操作、耐力长久以及长时间数据保留（即便在断电的状况下）。MRAM 可能在一块内存上保留程序数据和 FPGA 配置数据，让 Angstrom Aerospace 将所有存储需要缩减到一个芯片上，从而升高了主板区域。同时 MRAM 存储的灵活性也使得零碎可能在太空中进行重新配置。
MRAM 温度范畴的扩充为顽劣环境中的零碎设计（如 TAMU）提供了独特的低温和高可靠性，MRAM 的劣势还延长到运输和工业市场，在这一畛域，Everspin 正在与那些须要大量疾速且经济高效的内存的开发人员单干，这些内存是十分现实的非易失性内存，可进行大量读写循环。
除了 Angstrom Aerospace 的 MRAM 部署外，航空航天和国防畛域内的一些世界领先 OEM 的业余组件设计、开发和制造商 e2v 也发表应用 Everspin 的 MR2A16A 产品。该公司曾经公布了一个可靠性扩大版本，该版本在整个军事温度范畴都能以百分百的性能程度操作，能够很好地满足航空电子、国防和航空航天利用的要求。同时霍尼韦尔公司签订协定，许可 MRAM 技术在军事和航天利用中应用，直到明天，他们持续围绕这一技术构建产品。
MR2A16A 提供 SRAM 兼容的 35 ns 读 / 写时序，具备有限的耐久性。数据在 20 年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可主动在断电时爱护数据，以避免在不符合规定的电压状况下进行写操作。对于必须疾速永恒存储和检索要害数据和程序的利用，MR2A16A 是现实的存储器解决方案。MR2A16A 在很宽的温度范畴内提供高度牢靠的数据存储。
Everspin MR2A16A 4Mbit 产品是世界上的第一款商用 MRAM 器件。因为很多顾客都在寻求用一粒单片取代闪存、SRAM 和 EEPROM 的代替计划，打消 SRAM 的电池备份，Everspin 的 MRAM 产品已迅速成为首选解决方案。它们提供了在刻薄环境中顺利完成这一工作所需的耐力、速度和可靠性。Everspin 代理英尚微电子可为用户提供产品相干技术支持及利用解决方案。