“持久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能、字节可寻址、非易失性存储器设施。MRAM（磁性只读存储器）和 FRAM（铁电 RAM）都宣称具备类似的性能劣势：低电压操作、长寿命和十分高的速度。他们以不同的形式实现这些指标，只管在每种状况下，性能冲破背地都有翻新的资料技术。独创的 MRAM 将数据位存储为存储单元中电阻的变动，这是通过将某些非凡资料裸露在磁场中而产生的。FRAM 与 MRAM 有很大不同：它在铁电资料中将位存储为固定电位（电压）。上面介绍一款可代替 FRAM 的 Serial MRAM 芯片 MR25H256ACDF。
MR25H256ACDF 是一种串行 MRAM，其存储器阵列逻辑组织为 32Kx8，应用串行外围接口的片选 (CS)、串行输出(SI)、串行输入(SO) 和串行时钟 (SCK) 四个引脚接口 (SPI) 总线。串行 MRAM 实现了当今 SPI EEPROM 和闪存组件通用的命令子集，容许 MRAM 替换同一插槽中的这些组件并在共享 SPI 总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行 MRAM 提供卓越的写入速度、有限的耐用性、低待机和运行功率以及更牢靠的数据保留。
特色
•无写入提早
•有限写入耐久性
•数据保留超过 20 年
•断电时主动数据保护
•块写爱护
•疾速、简略的 SPI 接口，时钟速率高达 40MHz
•2.7 至 3.6 伏电源范畴
•低电流睡眠模式
•工业和汽车 1 级和 3 级温度
•提供 8 -DFN Small Flag RoHS 合规性封装。
•间接代替串行 EEPROM、闪存、FeRAM
•工业级和 AEC-Q1001 级和 3 级选项
•湿度敏感度 MSL-3
Everspin Technologies, Inc 是设计制作和商业运输分立和嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的翘楚，面向数据持久性和应用程序的市场和利用。完整性、低提早和安全性至关重要。Everspin 在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品，为 MRAM 用户奠定了最弱小、增长最快的根底。