Everspin 公司型号 EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3 自旋转移扭矩 MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在 DDR3 速度下具备非挥发性和高耐久性。该设施可能以高达 1333MT / 秒 / 引脚的速率进行 DDR3 操作。它的设计合乎所有 DDR3 DRAM 性能，包含设施端接（ODT）和外部 ZQ 校准，但具备数据持久性和极高的写周期耐久性的长处。借助 Spin-Torque MRAM 技术，不须要刷新单元，从而大大简化了零碎设计并缩小了开销。
所有管制和地址输出均与一对外部提供的差分时钟同步，输出锁存在时钟交叉点。I / O 与一对双向选通脉冲（DQS，DQS）同步。该器件应用 RAS / CAS 多路复用计划，并在 1.5V 下工作。
特色
•非易失性 256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3
•反对规范 DDR3 SDRAM 性能
•VDD = 1.5v +/- 0.075v
•高达 667MHz fCK（1333MT / 秒 / 针）
•页面大小为 512 位（x8）或 1024 位（x16）
•设施上终止
•片上 DLL 将 DQ，DQS，DQS 转换与 CK 转换对齐
•所有地址和管制输出均在时钟的回升沿锁存
•突发长度为 8，可编程突发斩波长度为 4
•规范 10x13mm 78 球（x8）或 96 球（x16）BGA 封装
DDR3 DRAM 兼容性
Everspin DDR3 自旋扭矩 MRAM 与 JEDEC 规范 JESD79-3F 中定义的 DRAM 操作的 DDR3 规范齐全兼容。
•自旋扭矩 MRAM 是非易失性存储器。无论何时出于任何起因断开设施电源，已敞开 / 预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。
•在某些状况下，命令工夫会有所不同。
•DDR3 规范实用于高于 256Mb 的密度，从而导致寻址和页面大小差别。
•突发类型 / 突发程序仅反对 CA <2：0 = 000 或 100 的间断突发类型。请参见第 30 页的“突发长度，类型和程序”。
基本功能
DDR3 STT-MRAM 是外部配置为八存储区 RAM 的高速自旋扭矩磁阻随机存取存储器。它应用 8n 预取架构来实现高速操作。8n 预取架构与旨在在 I / O 引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。DDR3 MRAM 的单个读或写操作包含外部 STT-MRAM 内核的单个 8n 位宽，四个时钟数据传输以及 I / O 引脚上的两个相应的 n 位宽，半时钟周期数据传输。
对 DDR3 STT-MRAM 的读和写操作是面向突发的，从选定的地位开始，并依照编程的程序持续进行八次突发长度或四次“斩波”突发。操作从激活流动命令的注册开始，而后是 READ 或 WRITE 命令。与激活命令统一注册的地址位用于抉择要激活的存储体和行（[BA0：BA2] 抉择存储体；A0-A13 抉择行）；无关特定要求，与 READ 或 WRITE 命令统一的已注册地址位用于抉择突发操作的起始列地位，确定是否要收回主动预充电命令（通过 A10），并“即时”抉择 BC4 或 BL8 模式。（通过 A12）（如果在模式寄存器中启用）。在失常操作之前，必须以预约义的形式上电并初始化 DDR3 STT-MRAM。