富士通半导体存储器解决方案有限公司推出 12Mbit ReRAM（电阻式随机存取存储器）MB85AS12MT，这是富士通 ReRAM 产品系列中密度最大的产品。
ReRAM 电阻式随机存取存储器是一种非易失性存储器，其中将脉冲电压施加到薄金属氧化物膜上，从而在记录 1 和 0 的电阻上产生微小的变动。其电极间采纳金属氧化物的简略构造，制作工艺非常简单，同时仍具备低功耗、写入速度快等低劣个性。
MB85AS12MT 该新产品是一种非易失性存储器，具备 12Mbit 的大存储密度，封装尺寸约为 2mmx3mm。它在读取操作期间具备均匀 0.15mA 的极低读取电流。该产品具备封装尺寸小、读取电流小等特点，十分实用于助听器、智能手表等可穿戴设施。
MB85AS12MT 是一款具备 12Mbit 存储密度的非易失性存储器，可在 1.6V 至 3.6V 的宽电源电压范畴内工作。新的 ReRAM 产品的内存密度是现有 8MbitReRAM 的 1.5 倍，同时放弃雷同的封装尺寸 WL-CSP（晶圆级芯片尺寸封装）和雷同的引脚调配。该产品能够在大概 2mmx3mm 的小包装尺寸中存储大概 90 页报纸的字符数据。
MB85AS12MT 应用的 WL-CSP 与常常用于具备串行外设接口 (SPI) 的存储设备的 8 引脚 SOP 相比，能够节俭大概 80% 的装置表面积。
与其余非易失性存储器相比，新的 ReRAM 产品具备极小的读取电流程度。在 5MHz 工作频率下，均匀读取电流小至 0.15mA，甚至在 10MHz 工作时最大读取电流为 1.0mA。因而，通过将 MB85AS12MT 装置在具备频繁数据读取操作（例如特定程序读取或设置数据读取）的电池供电设施中，能够最大限度地缩小电池耗费。它非常适合用于电池供电的小型可穿戴设施，例如助听器和智能手表。
富士通半导体存储器解决方案在持续为须要频繁数据重写的客户设施寻求更大密度的 FRAM 产品的同时，始终在开发新的非易失性存储器以满足频繁读取数据的要求，从而引入了这种新的 12Mbit ReRAM 产品。富士通半导体内存解决方案一直开发各种低功耗内存产品以满足客户的需要。