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IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM 芯片是一个 8M 容量，组织构造为 512KX16 的高速率低功耗动态随机存储器。采纳高性能 CMOS 工艺制作。高度牢靠的工艺水准再加翻新的电路设计技术，造就了这款高性能，低功耗的器件。应用 IS62WV51216 的片选引脚和输入使能引脚，能够简略实现存储器扩大。IS62WV51216EBLL-45TLI 采纳 JEDEC 规范 44TSOP2 封装。
我司介绍一款可用于替换 IS62WV51216EBLL-45TLI 的国产 SRAM 芯片，EMI 伟凌创芯 8Mbit 国产低功耗 SRAM 芯片 EMI508NL16VM-55I 采纳 EMI 先进的全 CMOS 工艺技术制作。位宽 512KX16, 电源电压为 2.7V~3.6V，反对工业温度范畴和芯片级封装，以实现零碎设计的用户灵活性。该系列还反对低数据保留电压 1.5V(Min.)，用于以低数据保留电流进行电池备份操作。采纳规范 44TSOP2 封装模式。代理商英尚微电子提供收费样品测试及技术支持。
low power sram 次要是指低功耗 SRAM 存储器，利用于内有电池供电对功耗十分敏感的产品，作为动态随机拜访存储器的一种类别，动态随机拜访存储器（SRAM）作为最重要的半导体存储器，宽泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制作工艺的一直晋升，存储器占据芯片的功耗比例越来越大，高速低功耗的 SRAM 设计变得越来越重要
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