串行 SRAM 器件是独立的易失性存储器解决方案，能够帮忙创立更紧凑的设计，同时为以后的 MCU 增加性能。高性能 SRAM 器件具备有限的耐用性和零写入工夫，非常适合波及间断数据传输、缓冲、数据记录、音频、视频和其余数学和数据密集型性能的利用。反对串行外设接口 (SPI)、串行双 I / O 接口(SDI) 和串行四 I /O™(SQI™)总线模式。
串行 SRAM 的次要长处
•高速串行接口架构
•1、2 和 4 位 SPI 协定
•与传统并行 SRAM 接口相比，低引脚数接口
•无需低廉的微控制器降级的低成本 RAM 扩大
•低功耗
SRAM 不须要像 DRAM 那样的周期刷新，因而能够提供更好的性能。DRAM 单元由存取晶体管和电容器组成。数据作为电荷存储在电容器中，但电荷会随着工夫的推移而透露。DRAM 必须定期刷新以保留存储的数据。刷新会对 DRAM 性能和功耗产生负面影响。因而 SRAM 通常也比 DRAM 更快且功耗更低。
存储器在高速性能并非最重要因素的其它存储器（DRAM、闪存等）中，串行接口曾经取代了并行接口。因为存在须要 SRAM 的利用，串行 SRAM 在 SRAM 市场中始终处于小众位置。在空间十分无限的特定利用中，它们始终是低功耗、小尺寸代替计划。