SRAM 是随机存取存储器的一种。动态是指这种存储器只有放弃通电，外面贮存的数据就能够恒常放弃。当电力供应进行时，SRAM 贮存的数据还是会隐没，这与在断电后还能贮存材料的 ROM 或闪存是不同的。SRAM 不须要刷新电路即能保留它外部存储的数据。因而 SRAM 具备较高的性能，SRAM 的速度快，个别用小容量的 SRAM 作为更高速 CPU 和较低速 DRAM 之间的缓存.SRAM 也有许多种，如 Async SRAM (异步 SRAM）、Sync SRAM ( 同步 SRAM）等。上面我司介绍一款 4Mbit 异步低功耗国产 SRAM 芯片 EMI504HL08PM-55I
国产 SRAM 芯片 EMI504HL08PM-55I 应用 EMI 先进的全 CMO 工艺技术制作。工艺技术采纳 90nm Full CMOS，位宽为 512K x 8 位，电源电压：4.5V ~5.5V。封装采纳 32SOP，产品反对工业温度范畴和芯片级封装，以实现零碎设计的用户灵活性。同时还反对低数据放弃电压，以实现低数据放弃电流的电池备份操作。
封装引脚
对于安徽伟凌创芯（EMI）
安徽伟凌创芯微电子有限责任公司是一家以市场为导向的无晶圆半导体公司。专一于利基市场（Niche market）专用 SRAM 芯片 / 小型 SOC 芯片及整体解决方案，第一代产品波及千兆 / 万兆 USB 网口芯片以及音视频接口芯片。提供翻新、高品质、高性价比、供货继续稳固的芯片，并通过提供软硬件 Turnkey solution，升高客户研发难度，缩短客户量产时程。产品畛域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、利用展示、特种通信和智能建筑等。