MRAM 是一种应用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM 具备成为通用存储器的后劲 - 可能将存储存储器的密度与 SRAM 的速度联合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。Everspin MRAM 能够抵制高辐射，能够在极其温度条件下运行，并且能够防篡改。这使得 MRAM 实用于汽车，工业，军事和太空利用。Everspin 总代理英尚微电子提供技术支持产品解决方案。
上面介绍 Everspin AEC 认证的汽车利用 MRAM
MRAM 非易失性存储器简直能够在任何汽车零碎中进步性能并降低成本
•以全总线速度保留数据
•意外断电后立刻复原状态
•提供 AEC Q-100 合格的 1 级（-40 / 125°C）和 3 级（-40 / 85°C）
爱护有价值的数据并降低成本 MRAM 内存是保留贵重的车辆数据，简化设计并升高 BOM 老本的最佳解决方案。
爱护贵重数据的最佳解决方案
•不须要额定的内存用于磨损平衡
•打消了低廉的电容器
•不再须要功率损耗检测电路
•简化零碎固件，始终保持非易失性
简化并升高 BOM 老本
•有限的耐用性，可平安保留程序代码
•疾速写入 - 以系统总线速度工作的内存
•非易失性，数据放弃温度 > 20 年
•不须要电容器，电池或缓冲液
最大化控制系统的数据拜访
MRAM 在放弃非易失性的同时最大化数据收集率
因为较长的读 / 写周期，耐用性限度而导致数据失落
无脱漏数据，写入速度与 SRAM 一样快，非易失性，无磨损，电源故障期间无数据失落
MRAM 像 SRAM 一样是疾速写入的，而像 Flash 一样也是非易失性的，然而不须要页面擦除或长写入周期。事件数据能够以总线速度保留到 MRAM，并且即便意外断电或掉电也能够放弃持久性。
Everspin AEC 认证的汽车利用 MRAM